Active and Passive Electronic Components

短名Act. Passive Electron. Compon.
Journal Impact1.29
国际分区ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC(Q3)
ISSN0882-7516, 1026-7034, 1563-5031
h-index25

《Active and Passive Electronic Components》是一本国际期刊,专注于各种电子元件的科学与技术。期刊发表关于晶体管、混合电路、集成电路、微电机械系统(MEMS)、传感器、高频设备和电路、电力设备和电路、非易失性存储技术(如铁电和相变存储器)以及纳米电子设备和电路等主题的实验和理论论文。

期刊主页投稿网址
涉及主题物理量子力学工程类电气工程材料科学计算机科学光电子学电压电子工程化学电信数学热力学光学有机化学复合材料计算机网络生物纳米技术地质学冶金带宽(计算)晶体管物理化学
出版信息出版商: Hindawi Publishing Corporation出版周期: 期刊类型: journal开源期刊:
基本数据创刊年份: 2023原创研究文献占比0.00%自引率:0.00%Gold OA占比: 100.00%
期刊费用 $950详情
平均审稿周期 网友分享经验:13 Weeks

期刊引文格式

这些示例是对学术期刊文章的引用,以及它们应该如何出现在您的参考文献中。

并非所有期刊都按卷和期组织其已发表的文章,因此这些字段是可选的。有些电子期刊不提供页面范围,而是列出文章标识符。在这种情况下,使用文章标识符而不是页面范围是安全的。

有 1 位以上作者的期刊

有 2 位作者的期刊

有 3 位作者的期刊

有 5 位以上作者的期刊

书籍引用格式

以下是创作和编辑的书籍的参考文献的示例。

学位论文引用格式

网页引用格式

这些示例是对网页的引用,以及它们应该如何出现在您的参考文献中。

专利引用格式

手工熬夜修改参考文献?研飞自动匹配期刊,一键轻松成稿,支持 Word/WPS

点击下方按钮,免费开启试用!

下载研飞

投稿经验分享

分享我的经验,帮你走得更远

正在阅读

合成開口を持つジオラの信号形成のマルチチャンネルシステムの雑音特性の解析【JST・京大機械翻訳】

具有合成孔径的GeoRar信号形成多通道系统噪声特性分析【JST·京大机器翻译】

2018-1-1

I-V特性の線形および飽和領域を結合するための平滑化関数のないHEMTの準二次元物理ベースモデル【JST・京大機械翻訳】

无平滑函数的HEMT准二维物理基础模型用于结合I-V特性的线性和饱和区域【JST·京大机器翻译】

2019-1-1

合成開口を持つジオラの信号形成のマルチチャンネルシステムの雑音特性の解析【JST・京大機械翻訳】

具有合成开口的GeoRader信号形成多通道系统的噪声特性分析【JST·京大机器翻译】

2018-1-1

I-V特性の線形および飽和領域を結合するための平滑化関数のないHEMTの準二次元物理ベースモデル【JST・京大機械翻訳】

无平滑函数的HEMT准二维物理基础模型用于结合I-V特性的线性和饱和区域【JST·京大机器翻译】

2019-1-1

合成開口を持つジオラの信号形成のマルチチャンネルシステムの雑音特性の解析【JST・京大機械翻訳】

具有合成孔径的GeoRader信号形成多通道系统噪声特性分析【JST·京大机器翻译】

2018-1-1

最新文章

Design of a Microwave Quadrature Hybrid Coupler with Harmonic Suppression Using Artificial Neural Networks

使用人工神经网络设计具有谐波抑制功能的微波正交混合耦合器

2024-3-11

Research on Equivalent Circuit Model of HVDC Valve and Calculation of Thyristor Junction Temperature

高压直流阀等效电路模型研究及晶闸管结温计算

2024-1-27

Resonance Suppression of Multi‐Inverter Systems Based on Global Admittance Reshaping

基于全局导纳重塑的多逆变器系统谐振抑制

2024-1-1

Analysis and Design of High-Energy-Efficiency Amplifiers for Delta-Sigma Modulators

用于Delta-Sigma调制器的高能效放大器分析与设计

2023-11-23

An Ameliorated Small-Signal Model Parameter Extraction Method for GaN HEMTs up to 110 GHz with Short-Test Structure

一种改进的GaN HEMT高达110 GHz的小信号模型参数提取方法,采用短测试结构

2023-11-21

Built withby Ivy Science
Copyright © 2020-2024
版权所有:南京青藤格致信息科技有限公司
隐私和监管政策
苏ICP备20040574号-1
ICP许可证: 苏B2-20220377